원리 및 기능
TOF-SIMS는 적절한 수 keV 에너지를 가진 일차이온(Binm+, O2+, Cs+, Arn+)이 재료의 표면에 충돌함으로서 표면으로부터 방출되는 이온화된 입자들의 질량을 분석하여 표면 위에 존재하는 원자와 그 구조적 배열에 대한 정보를 얻을 수 있는 표면분석장비이다. 표면, 계면 및 내부의 조성을 구성하고 있는 원소 및 분자의 종류를 분석하고 표면의 미량(ppm)분석이 가능하여 불순물 연구에 매우 유용하다. Static SIMS 시 1013atom/cm2 이하의 일차이온의 양을 적게 조절하여 표면의 단원자층을 파괴하지 않고 표면에 존재하는 분자를 이온화 시킬 수 있는 특징이 있다.
기기활용
- 원소 및 분자 분석
- 분자 구조 분석
- 미량 원소 분석(H 포함)
- 화학 매핑(SIMS 이미지)
- 깊이 분포도 분석 및 3차원 분석
사양
- High performance TOF-SIMS analyzer Bi source and Sputter gun: Cs and Oxygen source
·Max. beam energy : 30 KeV
·Min beam diameter : 90nm for fast imaging mode
- Argon cluster source for sputter ion depth profile and spectroscopy for high mass organic and polymer materials.
- Mass resolution at low mass : ≥ 12,000 at 29m/z on Silicon wafer for Bi3++
- Mass resolution at high mass : ≥ 16,000 at over 200m/z using Pulsed Bi3++
- Sensitivity (@27 amu) : > 5.5 x 108Al+/nC
- Base pressure: < 3.8 x 10-9 torr or better
- Charge neutralization system
- A motorized five-axes UHV sample stage
- Two CCD high resolution video cameras